2009-12-14 10:11
Vishay Siliconix最新推出具超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

Vishay Siliconix最新推出具超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
关键字: Vishay, 功率MOSFET, 导通电阻
2009-12-9 09:58

电阻器的选用经验介绍

固定电阻器、熔断电阻器、热敏电阻器、压敏电阻器、光敏电阻器的选用经验介绍
关键字: 固定电阻器, 熔断电阻器, 热敏电阻器, 压敏电阻器, 光敏电阻器
2009-12-2 09:59

nicera光敏电阻的应用

nicera光敏电阻可广泛应用于各种光控电路,如对灯光的控制、调节等场合,也可用于光控开关,下面给出几个典型应用电路。
关键字:
2009-11-30 12:46

传感器的定义、特征及分类

国家标准GB7665-87对传感器下的定义是:“能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用信号的器件或装置,通常由敏感元件和转换元件组成”。传感器是一种检测装置,能感受到被测量的信息,并能将检测感受到的信息,按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出,以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。
关键字: 传感器
2009-11-11 09:21
Vishay推出新型高可靠性铝电解电容器142 RHS系列

Vishay推出新型高可靠性铝电解电容器142 RHS系列

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出高容值、高纹波电流,并可在+105℃高温下工作的径向铝电容器 --- 142 RHS系列。
关键字: Vishay, 铝电解电容
2009-9-11 09:35
Vishay 推出突破性P沟道功率MOSFET,将业界最低导通电阻减少近50%

Vishay 推出突破性P沟道功率MOSFET,将业界最低导通电阻减少近50%

Vishay 推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET—SiB457EDK,这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。采用了 TrenchFET Gen III P沟道技术,该技术利用自对准工艺制程,在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。
关键字: Vishay, MOSFET, P沟道, 最低导通电阻
2009-9-9 09:09
EPCOS爱普科斯电容器变压器电阻等多种元器件在电磁炉上的应用

EPCOS爱普科斯电容器变压器电阻等多种元器件在电磁炉上的应用

爱普科斯为能效极高的电磁炉提供了系列完整的元件,其中包括薄膜电容器、扼流圈、变压器、热敏电阻以及压敏电阻。<br />
关键字: EPCOS, 爱普科斯, 薄膜电容器, 变压器, 热敏电阻, 压敏电阻
2009-7-28 16:41
威士Vishay Siliconix将第三代P沟道TrenchFET®技术延伸至超小封装

威士Vishay Siliconix将第三代P沟道TrenchFET®技术延伸至超小封装

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出具有两个20V P沟道的第三代TrenchFET®功率MOSFET,其导通电阻是目前所有双P沟道器件当中最小的,所采用的热增强PowerPAK® SC-70封装的占位面积只有2mmx2mm。
关键字: Vishay, Siliconix, P沟道, TrenchFET
2009-7-6 17:20

红宝石Rubycon电解电容被施加以超过规定电压的电压时会产生什么样的影响?

RUBYCON作为电解电容国际著名品牌,已在国内的节能灯、镇流器、电表、开关电源等领域产品上广泛使用。
关键字: 红宝石, Rubycon, 电解电容, YXA
2009-6-10 09:15
泰科电子推出全新P系列电源接入模块

泰科电子推出全新P系列电源接入模块

电子组件供应商泰科电子近日宣布,面向全球市场推出一套全新P系列电源接入模块。该系列产品采用垂直式基座,额定电流分别为6A与10A,进一步拓宽了泰科电子的高性能P系列产品线。垂直式基座设计缩小了面板所占区域,在多种应用领域为设计师提供了更灵活的设计空间,例如医疗设备、家用电器、单模电源或开关电源,以及各类便携式电子设备。
关键字: 泰科电子, 泰科, TYCO, P系列, 电源接入模块
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