2018-8-27 10:22
Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并减小封装电感

Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并减小封装电感

2016年7月15日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出3颗采用小尺寸PowerPAK®SO-8L封装的N沟道器件
关键字: 天阳, 威士, 宾州
2013-12-30 11:40
用于双芯片TrenchFET® MOSFET的Vishay非对称PowerPAK® SO-8L通过AEC-Q101认证

用于双芯片TrenchFET® MOSFET的Vishay非对称PowerPAK® SO-8L通过AEC-Q101认证

宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SQJ940EP和SQJ942EP可用于车载应用，把高效同步DC/DC降压转换器所需的
关键字:
2009-7-28 16:41
威士Vishay Siliconix将第三代P沟道TrenchFET®技术延伸至超小封装

威士Vishay Siliconix将第三代P沟道TrenchFET®技术延伸至超小封装

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有两个20V P沟道的第三代TrenchFET®功率MOSFET，其导通电阻是目前所有双P沟道器件当中最小的，所采用的热增强PowerPAK® SC-70封装的占位面积只有2mmx2mm。
关键字: Vishay, Siliconix, P沟道, TrenchFET
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