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2016年7月15日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出3颗采用小尺寸PowerPAK®SO-8L封装的N沟道器件
关键字: 天阳, 威士, 宾州

宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SQJ940EP和SQJ942EP可用于车载应用，把高效同步DC/DC降压转换器所需的
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 12 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列不锈钢制动/crowbar电阻，电阻可承受3.46MJ的脉冲能量和12kA的脉冲电流，适用于新能源和其他重载应用。Vishay还可以根据定制指标提供更高脉冲负载能力的版本。 今天推出的Vishay Dral
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对于过热保护器件来说，如何利用SMD工艺装配到电路板一直是棘手的问题，因为装配过程中SMD工艺中回流焊的高温会使热保护器件不能承受而提前断开，不能应用到系统中去。厂商们都用手工装配规避这一问题的产生，不过装配费用也因而增加。泰科电子（Tyco Electronics）近期推出的神秘武器解决了这个矛盾，让热保护器也能承受回
关键字: 热保护器, , 回流焊, , RTP, , TYCO

红宝石RUBYCON主要产品是：铝质电解电容、薄膜电容、固态高分子电容、闪光电容和聚合电容。欧姆龙的主要产品是：开关、MOSFET继电器、固态继电器、DC功率继电器、连接器、传感器和光通信器件等。

关键字: 红宝石, RUBYCON, 铝电解电容

日前，Vishay宣布，推出集成的DrMOS解决方案-SiC762CD。在紧凑的PowerPAK MLP 6x6的40脚封装内，该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC，以及阴极输出二极管。
关键字: Vishay, DrMOS, 二极管

Vishay推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK® SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。
关键字: vishay, 电阻, 低导通电阻

Vishay新款器件采用1mm x 0.6mm的SOT-923封装，最大厚度仅为0.43mm，为小信号应用提供了节省空间的解决方案
关键字: Vishay, 功率MOSFET, 导通电阻

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
关键字: Vishay, 功率MOSFET, 导通电阻

Vishay 推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET—SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。采用了 TrenchFET Gen III P沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。
关键字: Vishay, MOSFET, P沟道, 最低导通电阻