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宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SQJ940EP和SQJ942EP可用于车载应用，把高效同步DC/DC降压转换器所需的
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日前，Vishay宣布，推出集成的DrMOS解决方案-SiC762CD。在紧凑的PowerPAK MLP 6x6的40脚封装内，该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC，以及阴极输出二极管。
关键字: Vishay, DrMOS, 二极管

Vishay推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK® SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。
关键字: vishay, 电阻, 低导通电阻

Vishay新款器件采用1mm x 0.6mm的SOT-923封装，最大厚度仅为0.43mm，为小信号应用提供了节省空间的解决方案
关键字: Vishay, 功率MOSFET, 导通电阻

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
关键字: Vishay, 功率MOSFET, 导通电阻

Vishay 推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET—SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。采用了 TrenchFET Gen III P沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。
关键字: Vishay, MOSFET, P沟道, 最低导通电阻

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有两个20V P沟道的第三代TrenchFET®功率MOSFET，其导通电阻是目前所有双P沟道器件当中最小的，所采用的热增强PowerPAK® SC-70封装的占位面积只有2mmx2mm。
关键字: Vishay, Siliconix, P沟道, TrenchFET