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Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款Power Metal Strip电池分流电阻——WSBS8518，新电阻在8518尺寸封装内实现了36W功率和低至100μΩ的极低阻值。
关键字: vishay电阻, WSBS8518, 符合RoHs

Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型TNPU e3系列高精度薄膜扁平片式电阻，外壳尺寸分别为0603、0805和1206。
关键字: vishay电阻, 扁平片式电阻, ROHS, 高精度薄膜扁平片式电阻, 0603, 0805, 1206

Vishay宣布，推出新款PNM系列精密无磁薄膜电阻。在-55℃～+125℃的宽温范围内，这些器件具有低至±25ppm/℃的标准TCR，经过激光微调后的容差只有±0.1%。

关键字: Vishay, PNM系列, 薄膜电阻

Vishay 推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET—SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。采用了 TrenchFET Gen III P沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。
关键字: Vishay, MOSFET, P沟道, 最低导通电阻

Vishay宣布，推出具有优异的负载寿命、负载寿命比和贮存寿命稳定性特性的超高精度Bulk Metal箔四电阻网络 -- SMNH电阻网络。
关键字: Vishay, Bulk, 电阻网络, Metal箔, SMNH

Vishay  推出ESD保护高达25kV的系列低尺寸表面贴装整流器 --- MSE1Px。新的MSE1Px器件采用eSMP系列MicroSMP封装，占位尺寸只有2.5mmx1.3mm，厚度仅有0.65mm。
关键字: Vishay, 表面贴装, ESD保护, 整流器, 传感器

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有两个20V P沟道的第三代TrenchFET®功率MOSFET，其导通电阻是目前所有双P沟道器件当中最小的，所采用的热增强PowerPAK® SC-70封装的占位面积只有2mmx2mm。
关键字: Vishay, Siliconix, P沟道, TrenchFET

Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款Power Metal Strip电池分流电阻——WSBS8518，新电阻在8518尺寸封装内实现了36W功率和低至100μΩ的极低阻值

关键字: Vishay, 电池分流电阻, WSBS8518, 功率, 电阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布了其新款高速光电检测器——TEMD5080X01，继续扩展其光电产品线。TEMD5080X01是PIN型光电二极管，与标准PIN光电二极管芯片相比，TEMD5080X01对400nm紫外线的检测灵敏度提高了300%，因此可广泛用于工业和消费类系统。
关键字: Vishay, 光电检测器

威世BC元件(Beyschlag Centralab components)是领先的无源电子元件的制造商， 它在1999年1月基于飞利浦电子成立。秉承贝士拉革（Beyschlag）、飞利浦（Philips）和中心实验室（Centralab）的优秀传统，BC元件（BCcomponents）在近距离同客户合作过程中持续贯彻产品创新和改良的进程。
关键字: 威士, VISHAY/BC, BC, 功率电阻