2009-7-28 16:41
威士Vishay Siliconix将第三代P沟道TrenchFET®技术延伸至超小封装

威士Vishay Siliconix将第三代P沟道TrenchFET®技术延伸至超小封装

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有两个20V P沟道的第三代TrenchFET®功率MOSFET，其导通电阻是目前所有双P沟道器件当中最小的，所采用的热增强PowerPAK® SC-70封装的占位面积只有2mmx2mm。
Tags: Vishay, Siliconix, P沟道, TrenchFET
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