2013-11-29 15:17
在当前的电子元器件市场上，谈到压电执行器、声表面波滤波器、双工器、射频模块、铝电解/薄膜电容器等基础器件产品，就不得不提到TDK集团旗下的爱普科斯(EPCOS)。自2008年加入TDK集团以来，凭借着在应用和模块技术研发上的雄厚实力，公司在材料、加工工艺、评估和模拟、电路和应用以及封装技术等方面不断推出自主开发的专利
关键字:
2013-9-16 10:05
TDK公司已经扩大了爱普科斯(EPCOS)的多层压敏电阻产品范围，新型的E-系列可确保汽车电子设备免受电流电涌脉冲的影响。由于创新的玻璃钝化层技术，SMD防护元件符合AEC-Q200标准，通过了扩展性的压力测试，甚至比以前更加坚固和可靠。它们的工作电压范围由14V扩展至40V DC。这些新元件除了能大大减少电流泄露之外，另一个显著
关键字: 压敏电阻, EPCOS, 爱普科斯
2010-12-4 12:12
过压保护设计有很多种器件可以选择，例如瞬态抑制二极管(TVS)、压敏电阻、半导体放电管、静电保护器件(ESD)、陶瓷放电管、玻璃气体放电管等等，根据不同特点应用在不同领域。例如TVS解决方案的优点是钳位能力强，它较适用于二级保护、IC/ASIC保护和电信线路保护；压敏电阻解决方案快速响应时间和钳位能力强，较适用于电源线
关键字: 过压保护器, , TVS, , 压敏电阻, , ESD, , EPCOS
2010-1-5 11:50
Vishay推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK® SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。
关键字: vishay, 电阻, 低导通电阻
2009-12-31 16:39
Vishay新款器件采用1mm x 0.6mm的SOT-923封装，最大厚度仅为0.43mm，为小信号应用提供了节省空间的解决方案
关键字: Vishay, 功率MOSFET, 导通电阻
2009-12-14 10:11
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
关键字: Vishay, 功率MOSFET, 导通电阻
2009-11-24 11:10
中国的电子元件行业已经成为万亿级产业，但在发展中仍面临着创新不足以及缺乏环保意识等问题，“我认为我们需要好好反思一下目前的发展模式，我们不应该以牺牲环境的代价来换取利润的增长。”
关键字: 创新, 被动元件, 环保, PCF, 原材料
2009-9-11 09:35
Vishay 推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET—SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。采用了 TrenchFET Gen III P沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。
关键字: Vishay, MOSFET, P沟道, 最低导通电阻
2009-8-7 19:44
Vishay 推出ESD保护高达25kV的系列低尺寸表面贴装整流器 --- MSE1Px。新的MSE1Px器件采用eSMP系列MicroSMP封装，占位尺寸只有2.5mmx1.3mm，厚度仅有0.65mm。
关键字: Vishay, 表面贴装, ESD保护, 整流器, 传感器
2009-6-23 10:33
日前，Vishay 宣布推出新款LC EMI/ESD滤波器阵列，包括四通道的VEMI45LA-HNH和八通道的VEMI85LA-HGK，在超级紧凑的LLP1713和LLP3313无引线封装内提供了小于1db的输入损耗。<br />
关键字: Vishay, EMI, ESD, 滤波器