2009-12-14 10:11
Vishay Siliconix最新推出具超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

Vishay Siliconix最新推出具超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
关键字: Vishay, 功率MOSFET, 导通电阻
2009-9-11 09:35
Vishay 推出突破性P沟道功率MOSFET，将业界最低导通电阻减少近50%

Vishay 推出突破性P沟道功率MOSFET，将业界最低导通电阻减少近50%

Vishay 推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET—SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。采用了 TrenchFET Gen III P沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。
关键字: Vishay, MOSFET, P沟道, 最低导通电阻
共2条 1