-深圳市天阳电子有限公司

TDK公司新近推出了BR7000-I-TH和BR7000-I-TH/S485 2款新型BR7000系列产品，进一步扩展了爱普科斯 (EPCOS) 功率因数控制器产品范围。其中，BR7000-I-TH控制器具有12个用于投切电容接触器的继电器输出和12个用于投切晶闸管模块的晶体管输出；BR7000-I-TH/S485控制器提供了一个额外的RS485总线接口，该接口允许控制多达32个爱
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Vishay推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay Roederstein MKP386M，该器件的目标定位是功率转换器、频率转换器，以及风力机、太阳能逆变器和汽车动力总成中的电机驱动。
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日前在2010亚洲风能大会暨国际风能设备展览会（Wind Power Asia 2010）上，TDK-EPC首次展出了其用于风能和太阳能的最重要的创新元件产品系列和解决方案。包括爱普科斯（EPCOS）电力电容器，铝电解电容器以及EMC滤波器和压敏电阻。 1、绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块用紧凑型PCC 该新型爱普科斯 PCC（块状电力电容器）
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电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。
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Vishay推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK® SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。
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Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
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Vishay 推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET—SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。采用了 TrenchFET Gen III P沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。
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主动元件（active component）是一种由电流方向获得，或是依靠电流方向的元件。实际上，是代表不是电阻、电容、电感 的元件。(这些称为“被动元件”) 主动元件的例子如晶体管、可控硅整流器、二极管、阀门等。

被动元件（passive component）是一种电子元件，不需要能量的来源而实行他特定的功能。被动元件的例子包含电阻、电容、电感、二极管。传统的石英无线接收器，一种调幅无线接收器不需要任何的电能，完全是由被动元件所组成.

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