2009-12-14 10:11
Vishay Siliconix最新推出具超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

Vishay Siliconix最新推出具超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
Tags: Vishay, 功率MOSFET, 导通电阻
2009-11-26 13:16
Vishay扩展其超高可靠性贴片电阻的阻值范围

Vishay扩展其超高可靠性贴片电阻的阻值范围

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，扩大了符合美军标MIL-PRF-55342认证的E/H薄膜贴片电阻的阻值范围，推出增强型E/H贴片电阻。该系列电阻采用紧凑的2208、2010和2512外形尺寸。
Tags: Vishay, 贴片电阻
2009-11-12 11:29
Vishay发布业界首个超小型SMD红外接收器

Vishay发布业界首个超小型SMD红外接收器

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于遥控系统的新款系列超小型SMD红外接收器TSOP752xxW。该系列器件是业界首个采用两个光敏二极管及专利技术内部金属EMI屏蔽的产品，超薄封装的厚度仅为2.35mm。
Tags: Vishay, SMD, 红外接收器
2009-11-11 09:21
Vishay推出新型高可靠性铝电解电容器142 RHS系列

Vishay推出新型高可靠性铝电解电容器142 RHS系列

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出高容值、高纹波电流，并可在+105℃高温下工作的径向铝电容器 --- 142 RHS系列。
Tags: Vishay, 铝电解电容
2009-10-30 15:25
Vishay推出TNPU e3系列高精度扁平片式电阻

Vishay推出TNPU e3系列高精度扁平片式电阻

Vishay的新型TNPUe3薄膜扁平片式电阻融合了TNPWe3产品成熟的可靠性与先进的精度水平。这种独特的组合使这些器件非常适合工业、汽车、航空航天、医学和电信设备中的放大器、精度分压器和控制单元等应用。   
Tags: vishay, 片式电阻, e3系列
2009-10-26 09:30
Vishay推出新系列1500W表面贴装车用瞬态电压抑制二极管

Vishay推出新系列1500W表面贴装车用瞬态电压抑制二极管

Vishay推出新系列1500W表面贴装车用瞬态电压抑制二极管(TVS) --- TPC系列，器件的厚度为业界最薄 --- 仅有1.1mm，击穿电压为6.8V～43V。TPC系列采用eSMP TO-277A封装，占位面积比采用传统SMC封装的器件小27%。


Tags: 汽车电子, Vishay, TVS, 二极管,
2009-10-20 08:33
Vishay宣布推出新款Power Metal Strip电池分流电阻

Vishay宣布推出新款Power Metal Strip电池分流电阻

Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款Power Metal Strip电池分流电阻——WSBS8518，新电阻在8518尺寸封装内实现了36W功率和低至100μΩ的极低阻值。
Tags: vishay电阻, WSBS8518, 符合RoHs
2009-10-15 21:22
Vishay推出的新型高精度扁平片式电阻

Vishay推出的新型高精度扁平片式电阻

Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型TNPU e3系列高精度薄膜扁平片式电阻，外壳尺寸分别为0603、0805和1206。
Tags: vishay电阻, 扁平片式电阻, ROHS, 高精度薄膜扁平片式电阻, 0603, 0805, 1206
2009-9-14 09:41
Vishay推出新款PNM系列精密无磁薄膜电阻

Vishay推出新款PNM系列精密无磁薄膜电阻

Vishay宣布，推出新款PNM系列精密无磁薄膜电阻。在-55℃～+125℃的宽温范围内，这些器件具有低至±25ppm/℃的标准TCR，经过激光微调后的容差只有±0.1%。

Tags: Vishay, PNM系列, 薄膜电阻
2009-9-11 09:35
Vishay 推出突破性P沟道功率MOSFET，将业界最低导通电阻减少近50%

Vishay 推出突破性P沟道功率MOSFET，将业界最低导通电阻减少近50%

Vishay 推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET—SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。采用了 TrenchFET Gen III P沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。
Tags: Vishay, MOSFET, P沟道, 最低导通电阻
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