2009-9-11 09:35
Vishay 推出突破性P沟道功率MOSFET，将业界最低导通电阻减少近50%

Vishay 推出突破性P沟道功率MOSFET，将业界最低导通电阻减少近50%

Vishay 推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET—SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。采用了 TrenchFET Gen III P沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。
Tags: Vishay, MOSFET, P沟道, 最低导通电阻
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