深圳市天阳电子有限公司

Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并减小封装电感

2018/8/27 10:22:33

2016年7月15日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出3颗采用小尺寸PowerPAK®SO-8L封装的N沟道器件

Vishay为PRA系列高精度薄膜片式电阻阵列增添073和074外形尺寸

Vishay新闻中心 — 2014/1/7 16:50:52

阵列最多提供8个不同欧姆值的电阻，公差比为0.01%，TCR Tracking达到宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 12 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为其PRA系列高精度薄膜表面贴装卷包片式电阻阵列增添073和074小外形尺寸。新的PRA073和PRA074提供最多8个不同...

用于双芯片TrenchFET® MOSFET的Vishay非对称PowerPAK® SO-8L通过AEC-Q101认证

sky — 2013/12/30 11:40:48

宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SQJ940EP和SQJ942EP可用于车载应用，把高效同步DC/DC降压转换器所需的...

器件可承受高达3.46MJ的脉冲能量和12kA的脉冲电流

ESM国际电子商情 — 2013/12/25 9:46:57

宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 12 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列不锈钢制动/crowbar电阻，电阻可承受3.46MJ的脉冲能量和12kA的脉冲电流，适用于新能源和其他重载应用。Vishay还可以根据定制指标提供更高脉冲负载能力的版本。今天推出的Vishay Dral...

Vishay发布用于医疗设备中的TANTAMOUNT®固钽片式电容

2013/9/13 16:09:27

Vishay宣布推出新系列表面贴装固钽模压片式电容器--TM3系列，可在各种家用和医用非生命支持医疗监护和诊断设备中提供更好的性能和可靠性。

Vishay推出用于直接IGBT安装的镀金属聚丙烯膜缓冲电容器

2013/8/16 16:41:11

Vishay推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---VishayRoedersteinMKP386M，该器件的目标定位是功率转换器、频率转换器，以及风力机、太阳能逆变器和汽车动力总成中的电机驱动。

Vishay推出容量最高液钽高能电容器

2013/8/2 16:36:12

VishayIntertechnology，Inc.日前宣布推出新款液钽高能电容器--HE4。该款电容器，在市场上类似器件当中容量最高。

Vishay Siliconix推出符合DrMOS规定的新款器件

2010/3/3 13:57:54

日前，Vishay宣布，推出集成的DrMOS解决方案-SiC762CD。在紧凑的PowerPAKMLP6x6的40脚封装内，该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC，以及阴极输出二极管。

Vishay发布新款表面贴装白光LED

2010/2/3 8:46:25

VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出采用两种分装版本的新款表面贴装白光LED---VLMW321xxLED和VLMW322xxLED。为了与类似器件保持大范围的引脚兼容，VLMW321xxLED提供了3个阳极和1个阴极，VLMW322xxLED提供了3个阴极和1个阳极。

Vishay螺旋式接线柱功率铝电容器家族再添新成员

2010/1/26 17:00:53

VishayIntertechnology,Inc.宣布，其101/102PHR-ST螺旋式接线柱功率铝电容器新增了90mm×146mm、76mm×220mm及90mm×220mm三种更大的外形尺寸，接线柱的长度为13mm。

Vishay 推出循环寿命长达两百万次的面板电位计

2010/1/18 16:26:00

日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款经济、长寿命的面板电位计---P11L，该电位计具有四种模块和12.5mm的紧凑外形。

Vishay Siliconix最新推出低导通电阻

2010/1/5 11:50:39

Vishay推出新款12VP沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK®SC-75封装，占位面积为1.6mmx1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。

Vishay Siliconix推出业界最小的60V功率MOSFET

2009/12/31 16:39:16

Vishay新款器件采用1mmx0.6mm的SOT-923封装，最大厚度仅为0.43mm，为小信号应用提供了节省空间的解决方案

Vishay推出超导热增强型高电流密度PowerBridgeTM整流器

2009/12/30 15:35:36

日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新系列增强型高电流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的额定电流高达30A~45A，最大峰值反向额定电压为600V~1000V，外壳绝缘强度高达1500V。

Vishay Siliconix最新推出具超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

2009/12/14 10:11:46

VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET---SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mmx2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。

Vishay扩展其超高可靠性贴片电阻的阻值范围

2009/11/26 13:16:30

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，扩大了符合美军标MIL-PRF-55342认证的E/H薄膜贴片电阻的阻值范围，推出增强型E/H贴片电阻。该系列电阻采用紧凑的2208、2010和2512外形尺寸。

Vishay发布业界首个超小型SMD红外接收器

2009/11/12 11:29:36

VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出用于遥控系统的新款系列超小型SMD红外接收器TSOP752xxW。该系列器件是业界首个采用两个光敏二极管及专利技术内部金属EMI屏蔽的产品，超薄封装的厚度仅为2.35mm。

Vishay推出新型高可靠性铝电解电容器142 RHS系列

2009/11/11 9:21:23

VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出高容值、高纹波电流，并可在+105℃高温下工作的径向铝电容器---142RHS系列。

Vishay推出TNPU e3系列高精度扁平片式电阻

2009/10/30 15:25:49

Vishay的新型TNPUe3薄膜扁平片式电阻融合了TNPWe3产品成熟的可靠性与先进的精度水平。这种独特的组合使这些器件非常适合工业、汽车、航空航天、医学和电信设备中的放大器、精度分压器和控制单元等应用。

Vishay推出新系列1500W表面贴装车用瞬态电压抑制二极管

2009/10/26 9:30:39

Vishay推出新系列1500W表面贴装车用瞬态电压抑制二极管(TVS)---TPC系列，器件的厚度为业界最薄---仅有1.1mm，击穿电压为6.8V～43V。TPC系列采用eSMPTO-277A封装，占位面积比采用传统SMC封装的器件小27%。

Vishay宣布推出新款Power Metal Strip电池分流电阻

2009/10/20 8:33:14

VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款PowerMetalStrip电池分流电阻——WSBS8518，新电阻在8518尺寸封装内实现了36W功率和低至100μΩ的极低阻值。

Vishay推出的新型高精度扁平片式电阻

2009/10/15 21:22:45

VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新型TNPUe3系列高精度薄膜扁平片式电阻，外壳尺寸分别为0603、0805和1206。

Vishay推出新款PNM系列精密无磁薄膜电阻

2009/9/14 9:41:04

Vishay宣布，推出新款PNM系列精密无磁薄膜电阻。在-55℃～+125℃的宽温范围内，这些器件具有低至±25ppm/℃的标准TCR，经过激光微调后的容差只有±0.1%。

Vishay 推出突破性P沟道功率MOSFET，将业界最低导通电阻减少近50%

2009/9/11 9:35:51

Vishay推出一款业界最低导通电阻的新型20VP沟道功率MOSFET—SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。采用了TrenchFETGenIIIP沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。

Vishay新款超高精度Bulk Metal箔四电阻网络

2009/8/26 16:55:35

Vishay宣布，推出具有优异的负载寿命、负载寿命比和贮存寿命稳定性特性的超高精度BulkMetal箔四电阻网络--SMNH电阻网络。

Vishay 推出ESD保护高达25kV的小尺寸表面贴装整流器

2009/8/7 19:44:31

Vishay推出ESD保护高达25kV的系列低尺寸表面贴装整流器---MSE1Px。新的MSE1Px器件采用eSMP系列MicroSMP封装，占位尺寸只有2.5mmx1.3mm，厚度仅有0.65mm。

威士Vishay Siliconix将第三代P沟道TrenchFET®技术延伸至超小封装

2009/7/28 16:41:28

VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出具有两个20VP沟道的第三代TrenchFET®功率MOSFET，其导通电阻是目前所有双P沟道器件当中最小的，所采用的热增强PowerPAK®SC-70封装的占位面积只有2mmx2mm。

Vishay 推出极低阻值的电池分流电阻—WSBS8518

2009/7/23 16:54:13

VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款PowerMetalStrip电池分流电阻——WSBS8518，新电阻在8518尺寸封装内实现了36W功率和低至100μΩ的极低阻值

Vishay新款高速光电检测器对紫外线的检测性能提高数倍

2009/7/17 17:54:02

日前，VishayIntertechnology,Inc.发布了其新款高速光电检测器——TEMD5080X01，继续扩展其光电产品线。TEMD5080X01是PIN型光电二极管，与标准PIN光电二极管芯片相比，TEMD5080X01对400nm紫外线的检测灵敏度提高了300%，因此可广泛用于工业和消费类系统。

威士VISHAY/BC元件

2009/7/2 17:38:31

威世BC元件(BeyschlagCentralabcomponents)是领先的无源电子元件的制造商，它在1999年1月基于飞利浦电子成立。秉承贝士拉革（Beyschlag）、飞利浦（Philips）和中心实验室（Centralab）的优秀传统，BC元件（BCcomponents）在近距离同客户合作过程中持续贯彻产品创新和改良的进程。

Vishay推出厚度仅为0.6mm的LC EMI/ESD滤波器阵列

2009/6/23 10:33:36

日前，Vishay宣布推出新款LCEMI/ESD滤波器阵列，包括四通道的VEMI45LA-HNH和八通道的VEMI85LA-HGK，在超级紧凑的LLP1713和LLP3313无引线封装内提供了小于1db的输入损耗。

Vishay推出采用BGA封装的新型超高精度表面贴装电阻网络

2009/6/22 9:32:13

，Vishay推出三款超高精度的BulkMetalZ箔表面贴装电阻网络——2电阻的VFB1012D分压器，3电阻的VFB1515N和4电阻的VFB2028N，在目前BGA(球栅阵列)封装的产品中具有最佳的稳定率。

Vishay推出扩大功率等级的ACAS AT系列精密薄膜电阻阵列

2009/6/17 13:25:25

日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款ACAS0606AT，扩大了ACASAT系列精密薄膜电阻阵列的可用功率等级。

Vishay推出新型LPSxxx厚膜功率电阻

2009/6/11 9:01:30

新款VishaySferniceLPS300、LPS600和LPS800厚膜电阻无电感(<0.1µH)，阻值范围0.3Ω～900kΩ。这些器件的占位面积只有57mmx60mm，重量仅有83克，可节省宝贵的电路板空间，让设计者得以减小其终端产品的尺寸。

威士Vishay推出新型Bulk Metal箔电阻及其代替器件

2009/5/31 10:44:00

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，已将其QPLRNC90Y系列高可靠BulkMetal箔电阻的容差减小到±0.005%。如果设计者需要的电阻阻值比QPL规定的范围更高或更低，但是要求具有同样的性能，也可采用非QPL版的S555器件。

Vishay推出1202系列超高精度Accutrim微调电位器

2009/5/27 16:40:40

日前，威士VISHAY推出采用BulkMetal®箔工艺的超高精度Accutrim™系列微调电位器---1202系列，该系列器件采用1¼英寸的直线RJ12型定型长度，达到并超出了MIL-PRF-22097标准F章的要求。对于精确的调校，该器件在-55℃～+150℃、+25℃参考温度下提供了±10ppm/℃的端到端TCR，在整个滑动臂上的TCR为±25ppm/℃，在满载额定功率、+85℃温度下工作2000小时后的典型负载寿命稳定率为0.1%，典型设置精度小于0.05%。